IRF6668TR1PBF中文资料
IRF6668TR1PBF图片
- 大小：630.6KB
- 厂家：International Rectifier
- 描述： MOSFET, N, DIRECTFET, MZ; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:55A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):15mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; No. of Pins:5; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Avalanche Single Pulse Energy Eas:24mJ; Base Number:6668; Cont Current Id @ 70°C:44A; Current Id Max:44A; Fall Time tf:23ns; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-40°C; Package / Case:MZ; Power Dissipation Pd:2.8mW; Pulse Current Idm:170A; Rise Time:13ns; Storage Temperature Max:150°C; Storage Temperature Min:-40°C; Ter...
- 标准包装：1,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：HEXFET®
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：80V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：55A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：15 毫欧 @ 12A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.9V @ 100µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：31nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1320pF @ 25V
- 功率 - 最大：2.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MZ
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MZ
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：IRF6668TR1PBFTR
IRF6668TR1PBF供应商
更新时间:2022-12-31 18:59:33- 供应商
- 产品型号
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- 说明
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IRF6668TR1PBF
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原装现货
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原厂渠道，现货配单
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55000000
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万三科技,秉承原装，高价回收工厂呆滞
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-/2023+
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原装现货
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代理直销进口原装
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原厂渠道，现货配单
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NA/21+
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代理渠道，价格优势
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6000
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NA/23+
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原装 支持实单
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138000
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DIRECTFET/21+
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全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
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1200
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ECDIRECTFET/20+
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现货 如非原装 假一罚十
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5000
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-/22+
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原装，提供BOM配单服务