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IRF6668TR1PBF中文资料

IRF6668TR1PBF图片

IRF6668TR1PBF外观图

  • 大小:630.6KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: MOSFET, N, DIRECTFET, MZ; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:55A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):15mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; No. of Pins:5; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Avalanche Single Pulse Energy Eas:24mJ; Base Number:6668; Cont Current Id @ 70°C:44A; Current Id Max:44A; Fall Time tf:23ns; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-40°C; Package / Case:MZ; Power Dissipation Pd:2.8mW; Pulse Current Idm:170A; Rise Time:13ns; Storage Temperature Max:150°C; Storage Temperature Min:-40°C; Ter...
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):80V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:55A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:15 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4.9V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:31nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1320pF @ 25V
  • 功率 - 最大:2.8W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:DirectFET? 等容 MZ
  • 供应商设备封装:DIRECTFET? MZ
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRF6668TR1PBFTR

IRF6668TR1PBF供应商

更新时间:2022-12-31 18:59:33
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